ผู้ผลิตชิปรายใหญ่จากไต้หวัน TSMC ประกาศเริ่มผลิตชิ้นส่วนชิปขนาด 3nm จากโรงงานทางใต้ของประเทศแล้ว ซึ่งรุ่นใหม่นี้จะให้ประสิทธิภาพที่ดีกว่ารุ่น 5nm เดิมที่มีใช้ในอุปกรณ์ Apple, Qualcomm, และ AMD ทั่วไปตอนนี้เป็นอย่างมาก
โดย TSMC โฆษณาว่า กระบวนการผลิตแบบ N3 ใหม่นี้จะให้ความหนาแน่นของวงจรเพิ่มขึ้น 60 – 70% ให้ประสิทธิภาพเพิ่ม 15 เปอร์เซ็นต์ ขณะที่ใช้พลังงานน้อยกว่าแบบ N5 เดิมที่เคยใช้ผลิตมานานกว่า 2 ปีแล้วถึง 30 – 35%
อย่างไรก็ดี ปัจจุบันผู้ผลิตชิปของตัวเองอย่าง Apple และ Nvidia ได้ย้ายมาใช้ชิ้นส่วน N4 แทน N5 ของ TSMC กันแล้ว ดังนั้นการเปรียบเทียบ N3 กับ N5 อาจจะดูไม่ค่อยสมเหตุสมผลไปหน่อย ขณะที่คู่แข่งอย่างซัมซุงฉีกออกไปจากกลุ่มชิปแบบนี้ไปเลย
โดยซัมซุงได้ใช้ดีไซน์ทรานซิสเตอร์แบบใหม่ที่มีการเรียกกันว่า RibbonFET ที่เป็นลักษณะแบบ Gate-All-Around ซึ่งทาง TSMC ยังคงใช้สถาปัตยกรรมแบบ Tried-and-True FinFET อยู่ โดยไม่น่าจะเปลี่ยนสถาปัตยกรรมเป็นแบบใหม่จนกว่าจะคลอดเทคโนโลยีผลิตแบบ 2nm ออกมา
อ่านเพิ่มเติมที่นี่ – Theregister
